둘/[ Semiconductor ]3 HBM (High Band-width Memory) TSV (Through Silicon Via) 공정을 이용해 Memory Chip을 적층하여 Data 처리 속도를 극대화한 고대역폭 Memory Band-width (대역폭): Data 전달 성능 (Memory Bus 수 × Memory Clock 수) 대용량 Data 처리에 특화된 Memory → 주로 GPU와 같은 고성능 분야에 활용 초고온, 초절전, 초고속에 특화되어 자율주행, Machine Learning 등 산업분야에 적용 2023. 11. 23. TSV (Through Silicon Via) Process 반도체 패키지 공정 중 Wafer간 또는 Chip간 연결 방식은 아래와 같이 3가지 有 1. Wire Bonding: Chip + Board을 금속 배선으로 연결 상대적으로 느린 속도 Chip을 Board에 Wire로 하나하나 연결 필요 2. Flip Chip Bonding: Chip 바닥에 연결용 Bump 부착 후 바닥을 아래로 향하도록 다시 뒤집어 Board에 부착 Chip이 Board에 직접 맞닿아 경로 단축 → 빠른 속도 구현 가능 Board와 맞닿는 부위만 연결이 되어 단일 Chip이나 Chip을 수평으로 이어붙인 구조에서만 적용 가능 3. TSV (Trough Silicon Via): 여러겹 쌓인 Chip에 구멍을 뚫어 전류를 흐르게 함 → 수직 관통 전극 수직으로 빠르게 Data 이동 가능 .. 2023. 11. 23. Samsung Electronics has announced 3 nm gate-all-around (GAA) process called 3GAE From FinFET to GAA: Samsung Electronics’s fab journey to 3nm and 2nm Samsung Electronics has announced that its development of the 3 nm gate-all-around (GAA) process called 3GAE is on track and that it has made available version 0.1 of its process design kit (PDK) in April this year. Samsung is adopting the GAA architecture for 3-nm process nodes to overcome the physical scaling and performance .. 2021. 10. 18. 이전 1 다음
